复电导率的推导

利用脈衝雷射蒸鍍法製備碲化鉍薄膜與兆赫波時域頻譜之研究

光刻机镜头是如何加工的?

     网络上有很多文章说德国蔡司公司用德国ALZMETALL(奥美特公司)GS-1400重型精密立式五轴摇篮机床把EUV光刻机镜头直接加工到20皮米的表面粗糙度,风闻最近也有帖子提到。我对此感到怀疑,查证了一下,我认为这是一个误传,于是就有了这篇帖子。        蔡司公司加工光刻机镜头确实要用到精密机床铣磨,但后续还要经过小磨头抛光、磁流变抛光和离子 ... 阅读更多

会议纪要丨ASML光刻机专家交流纪要!

2023年3月31日 核心信息: 逻辑电路高制程一般只是底部第一层、第二层对精度要求高,上层电路精度要求不高,落后光刻机也可以做,fab 厂是各种型号设备组合使用的。 焦深是焦点上下 10%范围可以得到合格成像质量,大焦深可以得到更大工艺窗口,焦深与光刻胶的厚度、晶圆的平整度、基台的误差等都是相关的,无法通过软件改变,只能从工艺上做调整。光源、透镜、图形密集度都会影响焦深。 Gigaphoton ... 阅读更多

光刻工艺相关文章

先进光刻技术的发展历程与最新进展 李艳丽 如何看待长春光机所 EUV 光刻机进展? 7nm 制程工艺如何实现? 会议纪要丨ASML光刻机专家交流纪要! 2021年 卡脖子系列——全球光刻机行业概览 【兆恒机械】光刻机详解——半导体工业界最为耀眼的明珠 深紫外光刻复杂照明光学系统设计 一种高na投影物镜 投影光刻物镜像质补偿策略与补偿技术研究_赵磊 高数值孔径投影光刻物镜的光学设计_徐明飞 纳米集成 ... 阅读更多

硅基光子学

Modulators in Silicon Photonics—Heterogenous Integration & and Beyond Integration Approaches4.1. BondingToday, there exist many methods of combining III–V semiconductor devices with Silicon PICs. ... 阅读更多

M42转RMS 转接环 显微微距摄影 显微镜物镜转尼康佳能单反 LJ01.WZH74.7499

今天在水鲜市场看到了用于显微摄影的转接环皮套,就找了生产这个产品的公司,发现还有便携式的金相显微镜。 原文链接 这个转接环是将显微镜物镜的RMS螺纹(奥林巴斯物镜和国产显微镜物镜都是RMS螺纹)转成M42接口,如果是徕卡或者尼康显微镜的物镜,它的物镜螺纹为M25*0.75mm,所以购买之前一定要确认好你是哪种物镜。然后配套M42转单反的接口,就可以利用显微镜的物镜进行显微拍摄。可以配套提供M42转 ... 阅读更多

计算摄影相关知识汇总

相机篇机器视觉检测的基础知识 - 基恩士 计算摄影综述,徐树奎, 涂 丹, 李国辉, 张 军 内置PGA的4.8 kHz、超低噪声、24位∑-∆型ADC 既然噪声在300nV左右,何不通过在读出电路中集成一个高性能的AD直接将信号输出呢?看上面的ADC噪声只有11nV,对总体的噪声增加值贡献很小了。再有就是经过积分放大之后再通过高性能AD将信号输出,可以评估积分放大器的性能。新填入的ADC的数目可 ... 阅读更多

探测器噪声综述

Johnson noise Thermal Agitation of Electricity in Conductors 1/f噪声(1/f Noise) 锁相放大器 To characterize the noise [56], the incident blackbody irradiance was blocked by a shield, whose highly reflecting s ... 阅读更多

碲镉汞红外焦平面器件技术进展

本文内容转载自《红外与激光工程》2020年第1期,版权归《红外与激光工程》编辑部所有。 丁瑞军,杨建荣,何力,胡晓宁,陈路,林春,廖清君,叶振华,陈洪雷,魏彦锋 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 摘要:近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲 ... 阅读更多

热点:2019年度SCI中科院分区正式出炉!97本光学期刊2019中科院JCR分区报告!

2019年中科院分区于12月17日正式公布,但是很多人因为未订购数据库而查询不了。不少自媒体甚至发布了误导消息,拿EXCEL版JCR分区蹭热点。去年引起巨大争议,被归纳到二区的综合性期刊PNAS和Nature Communications,今年重回一区。 据中科院文献情报中心分区表官方报道,2019年分区表延续使用2018年的方法体系。之前报导的将材料科学单列为一个大类的情况并未出现,点击查看:重 ... 阅读更多

转载一篇专利:苏州纳米所的黑磷制备:具有高光电响应率的黑磷晶体、二维黑磷pn结及其制备方法与应用

Abstract 一种具有高光电响应率的黑磷晶体、二维黑磷PN结及其制备方法与应用。所述具有高光电响应率的黑磷晶体为单晶,空间点群Cmca(no.64),晶胞参数为α=3.2~3.4Å,b=10.4~10.6Å,c=4.3~4.5Å,层间距 4~6Å,具有高光电响应率、半导体类型可调等优点,且其制备方法简单,条件温和,产率高、成本低、污染小。所述二维黑磷PN结包括二维黑磷薄膜,所述薄膜的第一区域被 ... 阅读更多

20201120黑磷薄厚测试

测试的时候,根据图1,可以知道正极是较厚的黑磷,负极是较薄的黑磷。结合下面的IV曲线,如果理解为一个二极管的话,是正偏状态(虽然谈不上截止)。 同一种材料的不均匀性造成了电学上的不同。 黑磷越厚,带隙越窄,自由载流子越多。这种不均匀性,恰恰可能是光电流容易分离的契机。 -2.00E+00 -3.85E-08 -1.90E+00 -3.66E-08 -1.80E+00 -3.48E-08 -1.70 ... 阅读更多