接触孔形成工艺的目的是在所有硅的有源区形成金属接触。这层金属接触可以使硅和随后沉积的导电材料更加紧密地结合起来(如下图)。硅片表面的沾污和氧化物被清洗掉后,会利用物理气相沉积(PVD)在硅片表面沉积一层金属,即在一个等离子的腔体中带电的氩离子轰击金属靶,释放出金属原子,使其沉积在硅片表面。之后对硅片进行高温退火,金属和硅在高温下形成金属硅化物,最后用化学方法刻蚀掉没有发生反应的金属,将金属的硅化物留在了硅表面。
钛是做金属接触的理想材料,它的电阻很低,可以与硅发生反应形成TiSi2 (钛化硅),而钛和二氧化硅不发生反应,因此这两种物质不会发生化学的键合或者物于是聚集。因此钛能够轻易地从二氧化硅表面除去,而不需要额外的掩膜。钛的硅化物在所有有源硅的表面保留了下来(如源、漏和栅)。
- CMOS制作基本步骤的相关文章
- CMOS制作基本步骤的相关文章
- CMOS制作步骤(一):双阱工艺(twin well process)
- CMOS制作步骤(二):浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
- CMOS制作步骤(三):多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
- CMOS制作步骤(四):轻掺杂漏注入工艺LDD(lightly doped drain implants process)
- CMOS制作步骤(五):侧墙的形成(side wall spacer formation)
- CMOS制作步骤(六):源/漏注入工艺(S/D implant process)
- CMOS制作步骤(七):接触(孔)形成工艺(contact formation)
- CMOS制作步骤(八):局部互连工艺LI(Local Interconnect process)
- CMOS制作步骤(九):Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成(Via-1 and Plug-1 formation)
- CMOS制作步骤(十):Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成(Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation)