CMOS制作步骤(一):双阱工艺

现在COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤: ■ N阱的形成 外延生长     *外延层已经进行了轻的P型掺杂 原氧化生长  这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染,b)阻止了在注入过程中对硅片过度损伤,c)作为氧化物层屏蔽层,有助于控制流放过程中杂质的注入深度 第一层掩膜 ,n阱注入 n阱注放(高能) 退火 退火后的四个 ... 阅读更多