CMOS制作步骤（一）:双阱工艺
现在犀利士 COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤： ■ N阱的形成 外延生长 *外延层已经进行了轻的P型掺杂 原氧化生长 这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染，b)阻止了在注入过程中对硅片过度损伤，c)作为氧化物层屏蔽层，有助于控制流放过程中杂质的注入深度 第一层掩膜 ，n阱注入 n阱注放（高能） 退火 退 … 阅读更多
成一家之言
现在犀利士 COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤： ■ N阱的形成 外延生长 *外延层已经进行了轻的P型掺杂 原氧化生长 这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染，b)阻止了在注入过程中对硅片过度损伤，c)作为氧化物层屏蔽层，有助于控制流放过程中杂质的注入深度 第一层掩膜 ，n阱注入 n阱注放（高能） 退火 退 … 阅读更多