现在犀利士 COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤:
■ N阱的形成
- 外延生长 *外延层已经进行了轻的P型掺杂
- 原氧化生长 这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染,b)阻止了在注入过程中对硅片过度损伤,c)作为氧化物层屏蔽层,有助于控制流放过程中杂质的注入深度
- 第一层掩膜 ,n阱注入
- n阱注放(高能)
- 退火 退火后的四个结果:a)裸露的硅片表面生长了一层新的阴挡氧化层,b)高温使得杂质向硅中扩散c)注入引入的损伤得到修复,d)杂质原子与硅原子间的共价键被激活,使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。
■ P阱的形成
- 第二层掩膜, p阱注入 *P阱注入的掩膜与N阱注入的掩膜相反
- P阱注入(高能)
- 退火
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