DUV 3nm进展顺利，咱们采用了一种新的技术，可以这么认为叫做SADP+LELE。
是一种混合了2者优势的技术，名字叫做：“自对准LELE技术”。
专业术语也有：“SALELE”即：self-aligned LELE 技术。
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关于大家担心的成本问题，如下：
（这个成本计算是以最新的2021年标准化模式成本估计的，不是我编的，是搞来的，图也不是我画的，是业内大佬画的）
DUV单次曝光成本归一化为1。
【图片】(LELE就是大家普遍说的：双重曝光，而SE是单次曝光，LE4是4重曝光)
目前，台积电3nm工艺采用的是EUV LELE技术，成本为6。
而DUV 4重曝光技术成本为4。
另外，DUV 4重曝光消耗的能源只有EUV单次曝光的85%。
综合来看，DUV4重曝光总成本比EUV双重曝光低很多。
目前业内DUV和EUV光刻技术图：
【图片】这里说一下，SADP，不是双重曝光，而是单次曝光，SADP中的单次曝光可以将分辨率提升一倍，相当于双重曝光精度。
这个图里面的LELE(SADP)是指采用了 “SADP技术加持下的的双重曝光” 光刻技术，是一种新的技术，不是简单的双重曝光技术，这个技术可以达到4重曝光的精度，满足3nm制程工艺需求。
那么LE4 cut是什么意思呢？这个技术是指4重曝光切割技术。
虽然SADP是单次曝光就可以实现双倍精度提升达到了双重曝光的精度，但是它有一个缺点，就是曝光的图形全部是封闭的，可以认为比较像汉字：“口”。所以必须要外加一个切割技术，使得“口”变成“田”。
为什么会这样？具体技术很复杂就不赘述了。
总之就是duv 3nm技术就是这样实现的。
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据说啊，咱们的DUV 3nm工艺中，芯片中最关键的地方采用了史无前例的6个掩模！而不是4个！（不是6重曝光，别理解错了。）