很多网友有一个严重的错觉：有了所谓28纳米浸没式光刻机，就可以通过多重曝光生产7纳米甚至5纳米芯片。
实际上二十年前，也就是2003年，ASML推出第一代浸没式DUV光刻机的时候，其目标是45纳米节点逻辑芯片。包括当年推出的浸没式DUV预生产型号TWINSCAN™ XT：1250i。
之后，ASML以大约2年一代的速度对浸没式DUV光刻机进行迭代，不断在光源、光学系统、套刻精度、温控等系统进行升级，这才逐渐提升到32-28纳米节点、20-16纳米节点、10纳米节点、7纳米节点、5纳米节点。
目前ASML的最新浸没式光刻机型号已经到了NXT:2050i，而正准备推出的下一代更新的系统。
所以20年前的第一代浸没式光刻机的多重曝光也不可能实现14纳米以下节点所需精度。
值得一提的是，20年前，ASML是在其成熟的干式DUV光刻机平台上升级出来的浸没式光刻系统，也就是说它是完完全全的工业迭代，用了20年时间把浸没式光刻做到5-7纳米逻辑芯片的生产精度。
我们怎么可能指望大学和研究所的试验品能达到世界最顶级的光刻机企业迭代20年的工业产品的能力？
目前我国的光刻机国产水平可能停留在90纳米水平，但是这个是试验机型，有没有经过大批量工业实践，仍然是个巨大的疑问。所以想跨过工业实践积累，直接从90纳米跳过干式ArF DUV光刻机，实现28纳米浸没式光刻机，本身就不是一个符合客观规律的发展路线；而期望第一套试验型浸没式28纳米光刻机能够完成多重曝光达到14纳米以下制程，几乎是不可能的事情。