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电视剧《我的中国芯》未播就火，在全网引起热烈的讨论–预告片里的女主壮志满腔的发出誓言：
我们要做就做50瓦的领先国际水平的激光器。
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一些自媒体在解读“50瓦也叫做国际领先”的时候，还把一些虚假的信息贴出来做比较，比如说“哈工大研制了150瓦的DPP-EUV光源，你研发50瓦算什么国际领先”–这实际上是误读。首先，哈工大并没有研制150W的EUV光源，其次，《我的中国芯》的女主要做的是“50W的193纳米波长DUV光源”。
那么，50瓦的193纳米ArF激光光源到底是什么水平呢？我们接着聊。
大家对DUV光刻机已经很熟悉了，目前的主流DUV光刻主要包括248纳米的KrF，193纳米的ArF两种光源。
我们来看一下ASML的供应商，美国光刻光源厂商Cymer的这两种光源的发展历史：
1，1992年，Cymer开始推低端的KrF光源，其KrF光源在其后的9年左右，性能几乎呈线性增加。
2，1998年，Cymer开始推出研发型号的ArF光源，仅用了3年，性能几乎达到KrF光源的水平！
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这这张图，我们可以很容易理解“工业迭代”的概念：
Cymer的KrF光源几乎是每1.5年更新一代，而到了ArF光源，迭代速度更快，几乎是每1年更新一代，且产品指标迭代幅度更高！
这很容易理解，虽然ArF光源技术难度更高，但是其原理和技术基础与KrF光源类似，因此其迭代速度更快。
当然，这个迭代，不单单是实验产品的优化，而是伴随着DUV光刻机的整体迭代推进的，这一点和我们之前讨论的2010-2023年这十几年时间，Cymer的EUV光源迭代是非常类似的！
Cymer在2000年实现了10W的ArF光源，同时在研发20W光源。在Cymer的这篇2000年的论文中，指出其已经开发成功“超高重复频率”的ArF光源，也就是重复频率达到4000Hz，同时95%能量带宽小于1pm。
这就意味着彼时Cymer的ArF光源在实验室水平已经达到20W。
下图是Cymer论文里2000年的20W的ArF激光的重要参数，包括激光功率、光谱精度、稳定性、寿命等，这些参数接下来我们的讨论里会经常遇到。比如，我们可以看到，其全模组寿命需要大于50亿脉冲。
2000年-2002年，是20W的ArF激光成熟的节点，继Cymer发表了20W的ArF光刻光源论文之后，日本光刻光源厂商千兆光子在2001年发布了同样的4000Hz、20W的ArF光刻光源。
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所以，如果《我的中国芯》里的科研团队设定的“50瓦的领先国际水平的激光器”，是发生在2000年前后，那么“国际领先”的说法的确所言非虚！
你猜对了吗？我们下节继续聊！
参考资料
Sci-Hub | SPIE Proceedings [SPIE Microlithography 2000 – Santa Clara, CA (Sunday 27 February 2000)] Optical Microlithography XIII – | 10.1117/12.388979 (hkvisa.net)：https://sci-hub.hkvisa.net/10.1117/12.388979
Sci-Hub | SPIE Proceedings [SPIE 26th Annual International Symposium on Microlithography – Santa Clara, CA (Sunday 25 February 2001)] Optical Microlithography XIV – | 10.1117/12.435658 (hkvisa.net)：https://sci-hub.hkvisa.net/10.1117/12.435658