成一家之言
DUV 3nm进展顺利，咱们采用了一种新的技术，可以这么认为叫做SADP+LELE。是一种混合了2者优势的技术，名字叫做：“自对准LELE技术”。专业术语也有：“SALELE”即：self-aligned LELE 技术。--------------------关于大家担心的成本问题，如下：（这个成本计算是以最新的2021年标准化模式成本估计的，不是我编的，是搞来的，图也不是我画的，是业内大佬画的 ... 阅读更多
在即将于12月7日至11日在旧金山举行的国际电子器件会议（IEDM）上，Geoffrey Yeap将作题为“5nm CMOS Production Technology Platform Featuring Full-Fledged EUV and High-Mobility Channel FinFETs with Densest 0.021µm2 SRAM Cells for Mobile S ... 阅读更多
转载：https://zhuanlan.zhihu.com/p/87673690#/ 本文由公众号半导体行业观察（ID：icbank）转载自[半导体百科]。 之前翻译的TSMC 5nm工艺总结 是Dick James发布在Semiconductor Digest上对台积电5nm制程的相关信息总结。从透露出来的信息来看，台积电将代替Intel，引领半导体制造行业的技术走向。James所提到 ... 阅读更多
很多网友有一个严重的错觉：有了所谓28纳米浸没式光刻机，就可以通过多重曝光生产7纳米甚至5纳米芯片。 实际上二十年前，也就是2003年，ASML推出第一代浸没式DUV光刻机的时候，其目标是45纳米节点逻辑芯片。包括当年推出的浸没式DUV预生产型号TWINSCAN™ XT：1250i。 之后，ASML以大约2年一代的速度对浸没式DUV光刻机进行迭代，不断在光源、光学系统、套刻精度、温控等系统进行升级 ... 阅读更多
来源：https://www.163.com/dy/article/ICDV4OG60553OSM3.html?spss=dy_author#/ 电视剧《我的中国芯》未播就火，在全网引起热烈的讨论--预告片里的女主壮志满腔的发出誓言： 我们要做就做50瓦的领先国际水平的激光器。 编辑切换为居中 一些自媒体在解读“50瓦也叫做国际领先”的时候，还把一些虚假的信息贴出来做比较，比如说“哈工大研制了15 ... 阅读更多
来源：https://www.163.com/dy/article/I79H80420553OSM3.html#/ 上篇我们讨论了ASML的EUV光源发生器的性能提升，并且提到如果需要进一步提升EUV光刻曝光晶圆的效率，就需要进一步提升EUV光源。今天我们看一下ASML的EUV光源功率提升的新进展。 预脉冲技术：LPP EUV光源的核心概念 我们知道，ASML的LPP EUV光源，是通过40千瓦以 ... 阅读更多
转载自，这里。 --我们从哪里来？又到哪里去？ 前次我们初略探讨了长春光机所的EUV光刻机演示系统的2镜头球面Schwarzschild物镜,今天给大家仔细聊聊长春光机所--也可能是中国唯一的一套EUV光刻机原型到底是什么。 2003年长春光机所：金春水博士的EUV蓝图 2003年，历经千辛万苦完成国内首套可曝光EUV实验装置、初将毕业的长春光机所博士金春水，在博士论文里写下如下这段话（图1，图2 ... 阅读更多