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总结

193 nm干式光刻

林本坚在IBM的时候研究的工件台和镜头相对位移的系统，将k1减小到0.75。再使用双重曝光可以减小一半，也就是0.375。ASML的曝光能量分布测绘功能以及镜头NA提升（结合李艳丽文章推测，这一步是因镜头结构进步NA从0.75提升到0.85，即1.13倍），从90nm推进到65nm，这一步对应的比例式1.38，曝光分布测绘带来的工艺因子提升所占比例为1.38/1.13=1.22，那么k1可以从0.375减小到0.307。从65 nm到45 nm引入浸没式光刻，这一步NA减小1.44倍，完全是水浸的功劳，工艺因子k1这里还是0.307。从45 nm到28 nm，结合林本坚的演讲，有一个镜头结构的优化（使得NA从1.2到了1.35），还厚刻蚀shrink缩孔，可使k1继续减小至0.28。从28nm到更小，靠的是FINFET，还有偏振成像的引入（45nm->28nm），使用SMO配合双层抗反射层(28nm->16/14nm)、SALELE，Self-aligned litho-etch-litho-etch （14nm->7nm），Cut Metal等。

13.5nm EUV

根据《 投影光刻物镜像质补偿策略与补偿技术研究_赵磊 》，2019年长光所应该在研究NA0.75的物镜。