CMOS制作步骤（一）:双阱工艺

现在犀利士 COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤：

■　N阱的形成

1. 外延生长     *外延层已经进行了轻的P型掺杂
2. 原氧化生长  这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染，b)阻止了在注入过程中对硅片过度损伤，c)作为氧化物层屏蔽层，有助于控制流放过程中杂质的注入深度
3. 第一层掩膜 ，n阱注入
4. n阱注放（高能）
5. 退火 退火后的四个结果：a)裸露的硅片表面生长了一层新的阴挡氧化层，b)高温使得杂质向硅中扩散c)注入引入的损伤得到修复，d)杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。

■　P阱的形成

1. 第二层掩膜， p阱注入  *P阱注入的掩膜与N阱注入的掩膜相反
2. P阱注入（高能）
3. 退火

1. CMOS制作步骤（一）：双阱工艺（twin well process）
2. CMOS制作步骤（二）：浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
3. CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
4. CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain  implants process）
5. CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
6. CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
7. CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
8. CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
9. CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
10. CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成（Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation）

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