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基于应变硅技术的半导体器件的应力分析_胥传金 掺杂硅与二氧化钒平板间的近场辐射传热及其热整流性能研究_杨培培 早在20年前，Hargreaves[61]在1.5~6 μｍ的真空间距范围内，采用观测干涉条纹法，测量了由金属铬（Gr）组成的两平行圆盘在热发射端和冷接收端温度分别为323K和306 K时的辐射传热特性，同时强调了近场辐射传热受小于2.5 μｍ的真空间距的影响，结果与Polder等人[7] ... 阅读更多