转载一篇专利：苏州纳米所的黑磷制备：具有高光电响应率的黑磷晶体、二维黑磷pn结及其制备方法与应用
Abstract 一种具有高光电响应率的黑磷晶体、二维黑磷PN结及其制备方法与应用。所述具有高光电响应率的黑磷晶体为单晶，空间点群Cmca(no.64)，晶胞参数为α＝3.2~3.4Å，b=10.4~10.6Å，c=4.3~4.5Å，层间距 4~6Å，具有高光电响应率、半导体类型可调等优点，且其制备方法简单，条件温和，产率高、成本低、污染小。所述二维黑磷PN结包括二维黑磷薄膜，所述薄膜的第一区域被 ... 阅读更多