转载一篇专利:苏州纳米所的黑磷制备:具有高光电响应率的黑磷晶体、二维黑磷pn结及其制备方法与应用
Abstract 一种具有高光电响应率的黑磷晶体、二维黑磷PN结及其制备方法与应用。所述具有高光电响应率的黑磷晶体为单晶,空间点群Cmca(no.64),晶胞参数为α=3.2~3.4Å,b=10.4~10.6Å,c=4.3~4.5Å,层间距 4~6Å,具有高光电响应率、半导体类型可调等优点,且其制备方法简单,条件温和,产率高、成本低、污染小。所述二维黑磷PN结包括二维黑磷薄膜,所述薄膜的第一区域被 … 阅读更多