欧菲博客 – 第 2 页 – 成一家之言

【耀帅】基于Labview的语音控制程序

来源：https://bbs.elecfans.com/m/jishu_345404_1_1.html 运行程序需安装MathScript RT模块。 本声控程序使用了动态时间规整算法，故须进行声音训练。方法简单：自己的语音命令以数组形式去替换Dictionary内的数组； 可以修改后用来控制机器人，小车，我是用来控制改造的瓦力的，经测试环境噪声不大时声控程序很给力！ 6 声控程序.PNG&nbs … 阅读更多

LABVIEW2017下载及详细安装教程（包含DAQmx、Mathscript、安捷伦33XXX等驱动）

LABVIEW2017正版安装教程（Labview2017安装包、包含DAQmx、Mathscript、安捷伦33XXX等驱动）一点经验教训和建议进入正题：准备安装包和安装环境开始安装：安装步骤详情 安装主程序 安装DAQmx驱动程序 安装Mathscript驱动程序 配置安捷伦信号发生器路径 安装C generator 在使用之前，需要对安装的所有的安装驱动和部件进行正版注册，可在官网上自行购买 … 阅读更多

网红错误

躺平叔 一大批假富人正集体崩塌||消费熄火失业比想象严重【后段医保收入错误，没有考虑到统计口径】，参考：前4月职工医保基金收入减少23%？国家医保局官方发声后，知名基金经理还在传谣

Catia教程文章合集

CATIA入门操作案例——创成式曲面设计案例，吹风机的绘制，多截面曲面的绘制，曲面偏移和修剪

中国人均财富

股票价值960/0.06+6480/0.23+6700/0.17+26000/0.17+9000=245526，A股50000/0.33=150000。 股票价值调仓：4100/0.06+6220/0.21+26000/0.17=250893。 住房价值5万。 2019年人均36.6万元【1】。 截至2019年，中国居民总资产规模约465万亿元，其中金融资产147万亿元，人均10.5万元；实物资产 … 阅读更多

【材料科技】锂电池树枝状结晶的难题

　　锂电池是一种常见的充电电池，通常由正极、负极、电解质和隔膜等组成。在锂电池中，正极和负极是两个重要的极性部分，分别负责电荷的释放和吸收，那什么是锂电池的正极负极和锂电池阳极和阴极是什么意思呢? 　　什么是锂电池的正极负极? 　　锂电池正极：正极是电池中负责储存正电荷的极性。在锂离子电池中，典型的正极材料包括锂金属氧化物，比如锂钴氧化物(LiCoO2)、锂铁磷酸盐(LiFePO4)等。正极材料是 … 阅读更多

什么是锂电池的正极负极(锂电池阳极和阴极是什么意思)

　锂电池是一种常见的充电电池，通常由正极、负极、电解质和隔膜等组成。在锂电池中，正极和负极是两个重要的极性部分，分别负责电荷的释放和吸收，那什么是锂电池的正极负极和锂电池阳极和阴极是什么意思呢? 　　什么是锂电池的正极负极? 　　锂电池正极：正极是电池中负责储存正电荷的极性。在锂离子电池中，典型的正极材料包括锂金属氧化物，比如锂钴氧化物(LiCoO2)、锂铁磷酸盐(LiFePO4)等。正极材料是通 … 阅读更多

看房日记

河北里家边三室面积46.1平米 卫民巷40号68平米 天津 滨海新区 九龙里，唐雅回复说可以装燃气 正阳里33万电梯楼使用面积47.7平米，单价6900元。 惠阳里1楼挂价24万，使用面积30平米，单价8000元。 六安里15万，使用面积30.4平米，单价5000。 六安里21万，使用面积46.3平米，单价4535。 有物业费不到一块（赵莉）。 九龙里一楼19.5万，使用面积43.7平米，单价44 … 阅读更多

带你了解低温共烧陶瓷（LTCC）基板电路加工

一、LTCC基板电路概述 低温共烧陶瓷 (LTCC) 技术是集互联、无元件和封装于一体的多层陶瓷制造技术。随着科技的不断进步，现在的电子产品的外观可以变得更小更薄，但功能更强大。以手机的无线通信行业为例，手机的尺寸缩小，早期的移动电话的功能是从最简单的音频传输数据开始，现在已经发展成掌上网络电脑。如果可以将部分无源元件集成到基板中，则不仅有利于系统的小型化，增加电路的组装密度，还有利于提 … 阅读更多

CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成

层间介质（ILD）充当了各层金属间以及第一层金属与硅之间的介质材料。层间介质上有许多小的通孔，这些层间介质上的细小开口为相邻的金属层之间提供了电学通道。通孔中有导电金属（通常是钨，称为钨塞）填充，钨塞放置在适当的位置，以形成金属层间的电学通路（见图1，图2）。第一层层间介质是下面将要介绍的一系列互连工艺的第一步。 Via-1形成的主要步骤Via-1形成的主要步骤 第一层ILD氧化物 &n … 阅读更多

CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺

CMOS制作步骤中接触孔形成后下一步便是在晶体管以及其它钛硅化物接触之间布金属连接线。在下面的工艺流程中用的方法称为局部互连（LI）。形成局部互连的步骤与形成浅槽隔离的步骤一样复杂。工艺首先要求淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光、刻印、刻蚀和钨金属淀积，最后以金属层抛光结束（图1和图2）。这种工艺称为大马士革（damascene），名字取自几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。这步 … 阅读更多

CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺

接触孔形成工艺的目的是在所有硅的有源区形成金属接触。这层金属接触可以使硅和随后沉积的导电材料更加紧密地结合起来（如下图）。硅片表面的沾污和氧化物被清洗掉后，会利用物理气相沉积(PVD)在硅片表面沉积一层金属，即在一个等离子的腔体中带电的氩离子轰击金属靶，释放出金属原子，使其沉积在硅片表面。之后对硅片进行高温退火，金属和硅在高温下形成金属硅化物,最后用化学方法刻蚀掉没有发生反应的金属，将金属的硅化物 … 阅读更多

CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺

在侧墙形成后，需要进行的就是源/漏注入工艺。先要进行的是n+源/漏注入，光刻出n型晶体管区域后，进行中等剂量的注入，其深度大于LDD的结深，且二氧化硅构成的侧墙阻止了砷杂质进入狭窄的沟道区。接下来进行P+源/漏注入，在光刻出了要进行注入的P型晶体管区域后，同样进行中等剂量注入，形成的结深比LDD形成的结深略大，侧墙起了同样的阻挡作用。注入后的硅片在快速退火装置中退火，在高温状态下，对于阻止结构的扩 … 阅读更多

CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成

为了防止大剂量的源漏注入过于接近沟道从而导致沟道过短甚至源漏连通，在CMOS的LDD注入之后要在多晶硅栅的两侧形成侧墙。侧墙的形成主要有两步：1. 在薄膜区利用化学气相淀积设备淀积一层二氧化硅。2. 然后利用干法刻蚀工艺刻掉这层二氧化硅。由于所用的各向异性，刻蚀工具使用离子溅射掉了绝大部分的二氧化硅，当多晶硅露出来之后即可停止反刻，但这时并不是所有的二氧化硅都除去了，多晶硅的侧墙上保留了一部分二氧 … 阅读更多